Lihat sumber Transistor efek medan sambungan

{{Infobox komponen elektronik
|nama_komponen=Transistor efek medan<br /> gerbang pertemuan
|foto=
|judul_foto=
|tipe=Komponen aktif
|kategori=[[Transistor]] [[FET]]
|prinsip_kerja=
|komponen_sejenis=[[MOSFET]]
|penemu=[[John Bardeen]], [[Walter Houser Brattain]] dan [[William Shockley]] ([[1947]])
|pembuatan_pertama=
|simbol=[[Berkas:JFET N-dep symbol.svg|100px|JFET salur-n]]
[[Berkas:JFET P-dep symbol.svg|100px|JFET kanal-p]]
|susunan_kaki= 3 kaki (gerbang, cerat, sumber)
}}
[[Berkas:Jfet.png|jmpl|[[Arus listrik]] dari sumber ke cerat dalam JFET kanal-p dikurangi jika tegangan diberikan ke gerbang.]]
'''Transistor efek medan sambungan''' ('''TEMS''', '''JFET''' atau '''JUGFET''') adalah tipe paling sederhana dari [[transistor efek medan]]. Ini dapat digunakan sebagai sebuah [[sakelar]] terkendali elektronik atau [[resistansi]] terkendali tegangan. [[Muatan listrik]] mengalir melalui kanal [[semikonduktor]] di antara saluran sumber dan cerat. Dengan memberikan [[tegangan panjar]] ke saluran gerbang, kanal ''dijepit'', jadi arus listrik dihalangi atau dimatikan sepenuhnya.

== Sejarah ==
JFET telah diramalkan oleh [[Julius Edgar Lilienfeld]] pada tahun 1925 dan pertengahan tahun 1930-an, teori operasinya telah cukup untuk mendapatkan paten. Tetapi, pada waktu itu tidak mungkin untuk membuat kristal terkotori dengan ketelitian yang cukup untuk menunjukkan efek JFET. Pada tahun 1947, peneliti [[John Bardeen]], [[Walter Houser Brattain]], dan [[William Shockley]] mencoba untuk membuat JFET ketika mereka menemukan transistor titik kontak. JFET praktis pertama dibuat beberapa tahun kemudian.
== Struktur ==
JFET adalah sebuah bahan semikonduktor yang cukup panjang, dikotori untuk mendapatkan muatan listrik positif (tipe-p) atau negatif (tipe-n) yang melimpah. Koneksi pada setiap ujung semikonduktor membentuk sumber dan cerat. Saluran gerbang mempunyai pengotoran yang berlawanan dengan kanal yang mengelilinginya, jadi terbentuk pertemuan p-n pada antarmuka. Saluran yang menghubungkan keluar biasanya dibuat ohmik.

== Tegangan jepit ==
Untuk menjepit kanal dibutuhkan panjar terbalik tertentu pada pertemuan (V<sub>GS</sub>). Tegangan jepit ini bervariasi takmenentu, bahkan di antara peranti satu tipe yang diproduksi oleh pabrik yang sama. Sebagai contohnya, V<sub>GS(off)</sub> untuk peranti J201 dari Temic bervariasi dari -0.8V hingga -4V.<ref>[http://docs-europe.origin.electrocomponents.com/webdocs/0027/0900766b80027bd1.pdf J201 data sheet]</ref> Harga lazim bervariasi antara 0.3V hingga 10V.
Untuk mematikan peranti salur-n, dibutuhkan tegangan negatif pada gerbang-sumber (-V<sub>GS</sub>). Sebaliknya, untuk mematikan peranti kanal-p dibubuhkan tegangan positif pada gerbang-sumber (+V<sub>GS</sub>).

== Perbandingan dengan transistor lain ==
Arus gerbang JFET (kebocoran mundur pada pertemuan p-n gerbang-ke-kanal) lebih besar daripada [[MOSFET]] (yang mempunyai isolator [[oksida]] di antara gerbang dan kanal), tetapi jauh lebih rendah dari arus basis pada transistor [[BJT]].
JFET mempunyai [[transkonduktansi]] yang lebih tinggi dari MOSFET, karenanya JFET digunakan pada beberapa [[penguat operasi]] [[desah]] rendah dan [[impedansi]] masukan tinggi.

== Simbol skematis ==
Gerbang pada JFET kadang-kadang digambarkan di tengah-tengah kanal (tidak pada elektrode sumber maupun cerat seperti diatas). Kesimetrisan ini menunjukkan bahwa cerat dan sumber dapat dipertukarkan, jadi simbol tersebut sebaiknya hanya digunakan pada JFET yang benar-benar dapat dipertukarkan (dimana ini tidak selalu benar untuk semua JFET).
Resminya, simbol seharusnya digambarkan di dalam lingkaran (menunjukkan kemasan peranti). Simbol tanpa lingkaran digunakan ketika menggambar skema sirkuit terpadu, bahkan saat ini, juga digunakan pada skema komponen tersendiri.
Panah menunjukkan polaritas dari pertemuan p-n yang terbentuk di antara kanal dan gerbang. Sama seperti diode biasa, panah menunjuk dari p ke n (arah dari arus konvensional ketika dipanjar maju).

== Model matematis ==
Arus pada N-JFET yang dikarenakan oleh tegangan kecil V<sub>DS</sub> adalah:

::<math>I_{DSS} = (2a) \frac{W}{L} q N_d \mu_n V_{DS}</math>

Dimana:
* ''2a'' = ketebalan kanal
* ''W'' = lebar kanal
* ''L'' = panjang kanal
* ''q'' = muatan listrik = 1.6 x 10<sup>-19</sup> C
* ''μ<sub>n</sub>'' = [[pergerakan elektron]]
* ''N<sub>d</sub>'' = konsentrasi pengotor

Di daerah penjenuhan:

::<math>I_{DS} = I_{DSS}\left[1 - \frac{V_{GS}}{V_P}\right]^2</math>

Di daerah linier:

::<math>I_D = (2a) \frac{W}{L} q N_d {{\mu}_n} \left[1 - \sqrt{\frac{V_{GS}}{V_P}}\right]V_{DS}</math>

atau

::<math>I_D = \frac{2I_{DSS}}{V_P^2} (V_{GS} - V_P - \frac{V_{DS}}{2})V_{DS}</math>

== Referensi ==
{{Reflist}}

== Pranala luar ==
* [http://ist-socrates.berkeley.edu/~phylabs/bsc/PDFFiles/bsc5.pdf Physics 111 Laboratory Sirkuit JFET.pdf] {{Webarchive|url=https://web.archive.org/web/20031002051132/http://ist-socrates.berkeley.edu/~phylabs/bsc/PDFFiles/bsc5.pdf |date=2003-10-02 }}
* [http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/jfet.html Pembahasan JFET salur-n]
{{Transistor}}

[[Kategori:Jenis transistor|Efek medan gerbang pertemuan]]